보유장비
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FIB고성능 집속이온빔시스템
- 담당자 조혜진 / 042-860-7735
- 기기실 310호 (N3)
| 분석항목 | 분석료 |
|---|---|
| Milling, Deposition,Imaging | 200,000/시간 |
| TEM Sample Preparation | 500,000/시료 |
| EDS 성분분석 | 60,000/시료 |
| 고속 Ion milling | 300,000/시료 |
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시료 정보
시료 상태 고체
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원리 및 특징
갈륨 이온빔을 시료 표면에 조사하면 스퍼터링(sputtering) 현상과 함께 발생하는 2차 이온을 센서로 검출하고 2차원 분포를 구하여 시료 표면의 현미경 상을 관찰할 수 있으며, 스퍼터링 현상을 시료 가공에 응용할 수 있음
통상적인 재료의 열확산 속도보다 빠른 사이클의 펨토-초 레이저를 사용하여 시료의 손상을 최소화하면서 정밀한 가공, 분석을 수행할 수 있음
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용도 및 활용분야
미세조직의 복합 이미징 분석
나노스케일의 미세가공 및 3차원 구조물 제작
고장분석을 위한 단면 미세구조 분석
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보유장비 및 주요규격
제조사 Cal Zeiss 모델명 Crossbeam550 주요 사양 Electron optics Ion optics (Ga source) Resolution: 1.0 nm @15 keV / 2.5 nm @ 1 keV Resolution: 3.0 nm @30 keV Accelerating volatge: 200 V ~ 30 keV RAccelerating volatge: 500 eV ~ 30 keV Beam current: 0.8 pA ~ 22 nA RBeam current: 1pA - 100 nA
